ssd 秒杀

xinxinlinux

lrjycyz 发表于 2019-11-7 19:56
几年前笔记本就插了3块盘，花了将近1万，还能再战

壕就一个字！

rubycon

xinxinlinux 发表于 2019-11-7 15:14
浦科特确实还行，我第一块ssd就是浦科特的，M6s 128G，14年底买的，500多块钱，当系统盘用，使用至今没出 ...

5年通电时间才 4788 小时？

rubycon

xinxinlinux 发表于 2019-11-7 22:42
我只知道两个方式来看，不知道准不准，仅供参考。

你这个 S3500 SSD 不错啊。

iwocool

最近金士顿的一款性价比也极高

sp1

用了 3D TLC NAND技术，使用寿命也是较长的  三星说现在的3D NAND TLC，就是新的MLC    三星的850EVO，用的是3D NAND的TLC，质保5年

xinxinlinux

rubycon 发表于 2019-11-7 23:09
你这个 S3500 SSD 不错啊。

凑合着用，淘宝买的二手。

xinxinlinux

rubycon 发表于 2019-11-7 23:05
5年通电时间才 4788 小时？

没错，应该是准确的。这块硬盘是京东买的正品全新，买到后一直用着，到现在5年左右了。

sp1

MLC已经逐渐退出，被3D-TLC逐步取代

thq2440381250

东芝(TOSHIBA)_240G固态_Q200EX系列_MLC颗粒，观望中.....

sp1

thq2440381250 发表于 2019-11-8 08:56
东芝(TOSHIBA)_240G固态_Q200EX系列_MLC颗粒，观望中.....

转：
原文：
别老是纠结MLC和TLC了，TLC不比MLC差。正常讲，同一尺寸的MLC搽写次数是5000次，TLC是500次，所以大家都觉得MLC比TLC好太多太多，觉得TLC是垃圾，但是为了增加容量，都在提高工艺减少晶体管的尺寸，但这样寿命就会大大降低，MLC在50NM的技术时可以搽写1万次以上，到了20NM就只有3000次了，现在的16NM工艺的MLC，寿命都在3000次以下，而3D NAND技术因为可以是多层叠加，所以就不用降低晶体管的尺寸，保持在40NM技术可以有6000次以上的寿命，另外，传统SSD闪存使用浮栅极MOSFET存储电荷，晶体管的瑕疵会引起栅极与沟道之间短路，消耗栅极中的电荷，也就是说每次写入都会消耗栅极的寿命，一旦消耗完了这一个cell单元也就挂了，而之前三星的V-NAND的解决办法是改用电荷撷取闪存设计，电荷存储在绝缘层上而非导体上，理论上就不会消耗这些电荷了，这样一来，寿命就大大延长了------目前的19/20nm工艺MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，三星的V-NAND闪存可达35000次、足足提升了十倍，而写入速度可以提高两倍，所以------别只看MLC和TLC，还要看技术结构，如果是采用了3D NAND的TLC（多层堆叠增加晶体管尺寸而增加寿命，改用新技术：绝缘层存储电荷，理论上电荷不被消耗，晶体管就不会坏，所以寿命增加了10倍），性能不比MLC差，所以三星才说现在的3D NAND TLC，就是新的MLC，所以现在很多大厂都在把建设新的3D NAND ，至今年底为止，各家存储器厂的3D NAND生产线将陆续进入量产，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、东芝新建的Fab2、以及英特尔大连厂等。所以请大家别老是歧视TLC了，如果是3D NAND的TLC，性能还是很不错，要不就不会有那么多大公司都在加快建设3D NAND生产线，同时我也可以明确告诉大家，2017年开始，市场上将会有越来越多的3D NAND的TLC产品出现，因为3D NAND的性能，实在是比普通NAND的性能强太多了，这是做3D NAND控制芯片的厂家慧容说的。3D NAND的性能好到什么程度？三星的850PRO就是用的3D NAND MLC，质保是10年，10年，CPU最少都要换6代了。三星的850EVO，用的是3D NAND的TLC，质保5年。再看看英特尔的600P，用的也是3D NAND的TLC，质保是5年。所以，真的别一看到TLC就觉得是垃圾了，以后3D NAND的TLC会是市场主流，而3D NAND的MLC是企业级产品。如果真是垃圾，会成为未来市场上的主流产品吗？就连中国内地2017年底也会在武汉建成并生产3D NAND，因为性能不是一般的强！所以请别一见到TLC，就说是垃圾了，先看看是不是3D NAND的TLC先，如果是，那他可是高性能高技术的黑科技。

zbzb

这种盘也敢进。。。

wllzhk

买个正经牌子吧，数据无价